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上海8DLJJMICRO放電管,陶瓷放電管

更新時間:2025-08-02 編號:d31uvpvdkc8626
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韓旭

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上海8DLJJMICRO放電管,陶瓷放電管

關鍵詞
放電管,上海放電管,5DS捷捷微電放電管,8TL捷捷微電放電管
面向地區
全國

2013年11月13日~15日 第82屆中國電子展在上海浦東新國際博覽中心(上海市龍陽路2345號)召開,展會展出產品有工業級電子元器件、光電器件、集成電路、電源模塊、嵌入式系統、新型傳感器技術、電子材料、電子基礎裝備、電子工具、電子測量儀器及工控自動測試系統等。

反應時間

TVS管>壓敏電阻>氣體放電管

TVS管為皮秒級,壓敏電阻為納秒級,氣體放電管通常為幾十個納秒甚至更多。

選用半導體放電管應注意以下幾點:
1、大瞬間峰值電流IPP大于通訊設備標準的規定值。如FCC Part68A類型的IPP應大于100A;Bellcore 1089的IPP應大于25A。
2、轉折電壓VBO小于被保護電路所允許的大瞬間峰值電壓。
3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時,所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路電流的波形決定。對于指數波,方波,正弦波,三角波K值分別為1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向擊穿電壓VBR大于被保護電路的大工作電壓。如在POTS應用中,大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V,所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中,大DC電壓(150V)和大信號電壓(3V)之和為153V,所以應選擇VBR大于153V的器件。
5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位,器件的維持電流IH大于系統所能能提供的電流值。即:IH(系統電壓/源阻抗)。

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