全新西瑪焊接二極管SM12PHN100 M0139SM120

主要分類編輯

點接觸型二極管

點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用

面接觸型二極管

面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用

平面型二極管

平面型二極管在脈沖數字電路中作開關管使用時PN結面積小，用于大功率整流時PN結面積較大  

穩壓管

穩壓管

穩壓管

穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。  

穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。  

光電二極管

光電二極管

光電二極管

光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產生自由電子和空穴，使半導體中少數載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。

當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。

發光二極管

發光二極管

發光二極管

發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，廣泛用于信號指示等電路中。

在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。  

特性參數編輯

用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。

伏安特性

二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖所示   

二極管的伏安特性曲線

二極管的伏安特性曲線

在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示  。

對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏   

正向特性

外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。

當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。

當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。  

反向特性

外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。

擊穿特性

外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。  

另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結性損壞。 

SM25PCN144 M0280SJ250

SM20PCR144

SM22PCR144

SM24PCR144

SM25PCR144

SM12PHN174 M0334SC120

SM14PHN174 M0334SC140

SM16PHN174 M0334SC160

SM18PHN174 M0334SC180 

SM12PHR174

SM14PHR174

SM16PHR174

SM18PHR174

SM12PHN170 M0336SA120

SM14PHN170 M0336SA140 

SM12PHR170

SM14PHR170

SM04CXC170                 M0437WC040

SM06CXC170                 M0437WC060

SM08CXC170                 M0437WC080

SM10CXC170                 M0437WC100

SM12CXC170                 M0437WC120

SM14CXC170                 M0437WC140

SM04CXC190 M0759YC040

SM06CXC190 M0759YC060

SM08CXC190 M0759YC080

SM10CXC190 M0759YC100

SM12CXC190 M0759YC120

SM14CXC190 M0759YC140

SM16CXC190 M0759YC160

SM12CXC294M0790YC200

SM14CXC294M0790YC220

SM16CXC294M0790YC240

SM18CXC294M0790YC250 

SM20CXC294

SM04CXC220 M0859LC140

SM06CXC220 M0859LC160

SM08CXC220

SM10CXC220

SM12CXC220

SM14CXC220

SM16CXC220

SM18CXC220

SM40CXC344 M0588LC400

SM42CXC344 M0588LC420

SM44CXC344 M0588LC440

SM45CXC344 M0588LC450 

SM20CXC804 M0914LC200

SM22CXC804 M0914LC220

SM24CXC804 M0914LC240

SM25CXC804 M0914LC250 

SM40CXC604 M1010NC400

SM42CXC604 M1010NC420 

SM44CXC604 M1010NC440

SM45CXC604 M1010NC450 

SM40CXC614 M1163NC400

SM42CXC614 M1163NC420

SM44CXC614 M1163NC440

SM45CXC614 M1163NC450 

SM20CXC334 M1502NC200 

SM22CXC334 M1502NC220

SM24CXC334 M1502NC240

SM25CXC334 M1502NC250

SM20CXC915 M1609NC200

SM22CXC915 M1609NC220

SM24CXC915 M1609NC240