光耦合器亦稱光電隔離器或光電耦合器，簡稱光耦。它是以光為媒介來傳輸電信號(hào)的器件，通常把發(fā)光器（紅外線發(fā)光二極管LED）與受光器（光敏半導(dǎo)體管，光敏電阻）封裝在同一管殼內(nèi)。當(dāng)輸入端加電信號(hào)時(shí)發(fā)光器發(fā)出光線，受光器接收光線之后就產(chǎn)生光電流，從輸出端流出，從而實(shí)現(xiàn)了“電—光—電”控制。以光為媒介把輸入端信號(hào)耦合到輸出端的光電耦合器，由于它具有體積小、壽命長、無觸點(diǎn)，抗干擾能力強(qiáng)，輸出和輸入之間絕緣，單向傳輸信號(hào)等優(yōu)點(diǎn)，在數(shù)字電路上獲得廣泛的應(yīng)用。

⑴按光路徑分，可分為外光路光電耦合器（又稱光電斷續(xù)檢測器）和內(nèi)光路光電耦合器。外光路光電耦合器又分為透過型和反射型光電耦合器。

二、輸出特性
光耦合器的輸出特性實(shí)際也就是其內(nèi)部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數(shù)有：
1. 集電極電流Ic（Collector Current）
光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其大值。
2. 集電極-發(fā)射極電壓Vceo（C-E Voltage）
集電極-發(fā)射極所能承受的電壓。
3. 發(fā)射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）
發(fā)射極-集電極所能承受的電壓
4. 反向截止電流Iceo
5. C-E飽和電壓Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）

以下為光電耦合器的常用參數(shù)：
反向電流IR：在被測管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。
反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規(guī)定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時(shí)，正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。
正向電流IF：在被測管兩端加一定的正向電壓時(shí)二極管中流過的電流。結(jié)電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測管兩端的電容值。
反向擊穿電壓V(BR)CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。
輸出飽和壓降VCE(sat)：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時(shí)，并保持IC/IF≤CTRmin時(shí)（CTRmin在被測管技術(shù)條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。
反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時(shí)，流過集電極的電流為反向截止電流。
電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
脈沖上升時(shí)間tr,下降時(shí)間tf：光耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波，從輸出脈沖幅度的10%到90%，所需時(shí)間為脈沖上升時(shí)間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時(shí)間為脈沖下降時(shí)間tf。
傳輸延遲時(shí)間tPHL,tPLH：從輸入脈沖幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPLH。
入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。
入出間隔離電阻RIO：半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.
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CT Micro's 采用雙模塑共面 (DMC-Isolator ? ) 封裝技術(shù)，該技術(shù)采用特的封裝材料和工藝配方設(shè)計(jì)，可提供的可靠性和隔離性能的光耦合器。

二色成型共面（DMC-隔離?）優(yōu)勢。

的隔離性能
在升高的溫度下具有一致的傳輸特性性能
固定內(nèi)部隔離間隙（通過絕緣的厚度）。
無鉛且符合 RoHS。