供應(yīng)ABB整流二極管5SDD0120C0200焊接二極管

結(jié)構(gòu)組成編輯

二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。

采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。

各種二極管的符號

各種二極管的符號

由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因為PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕O管導通時電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。

二極管的電路符號如圖所示。二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。

工作原理編輯

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?/span>PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。

晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。  

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。

當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

PN結(jié)形成原理

P型和N型半導體

P型和N型半導體

P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。

因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。

N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。

PN結(jié)

PN結(jié)

因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。  

PN結(jié)單向?qū)щ娦?/span>

在PN結(jié)外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導通。

5SDD40B0200

5SDD71B0200

5SDD7102B0001

5SDD71X0200

5SDD71X0400

5SDD0120C0200

5SDD0120C0400

5SDD92Z0400

5SDD0135Z0400

● 5SDD 系列普通二極管（ Normal Recovery Diodes ） —平板型

5SDD11D2800 

5SDD08D5000

5SDD24F2800

5SDD20F5000

5SDD48H3200 

5SDD40H4000 

5SDD38H5000 

5SDD31H6000

5SDD51L2800

5SDD33L5500

5SDD60Q2800

5SDD60N2800

5SDD50N5500

5SDD54N4000

5SHY35L4510

5SHY35L4511

5SHX04D4502

5SHX03D6004

5SGA06D4502

5SGA15F2502

5SGA20H2501

5SGA25H2501

5SGA30J2501

5SGA06D4502

5SGA20H4502

5SGA30J4502

5SGA40H4501

5SDF05D2505

5SDF11F2501

5SDF07F4501

5SDF13H4501

5SDF14H4505

5SDF10H6004

5SDF05D2505

5SDF11F2501

5SDF07H4501

5SDF13H4501

5SDF10H6004

5SDF05D2501

5SDF03D4501

5SDF07H4501

5SDF02D6002

5SDF03D4502

5SDF05F4502

5SDF10H4502

5SDF10H4503

5SDF10H4520

5SDF16L4503

5SDF02D6004

5SDF04F6004

5SDF08H6005

5SGA15F2502

5SGA20H2501

5SGA25H2501

5SGA30J2501

5SGA06D4502

5SGA20H4502

5SGA30J4502

5SGA40L4501

5SGF30J4502

5SGF40L4502

5SHY35L4510

5SHY35L4512

5SHY35L4512

5SHY42L6500

5SHY55L4500

5SHZ04D6500

5SHX06F6010

5SHX08F4510

5SHX10H6010

5SHX14H4510

5SHX19L6010

5SHX26L4510

5SDA11D1702

5SDA27F2002

5SDA10D2303

5SDA24F2303

5SDA09D2604

5SDA08D3205

5SDA19F3205

5SDA21F3204

5SDA07D3806

5SDA16F3806

5SDA14F5007

5SDF1045H0002

西瑪二極管

SM22CXC915 M1609NC220

SM24CXC915 M1609NC240

SM26CXC915 M1609NC260 

SM02CXC504 M2408NC020

SM04CXC504 M2408NC040

SM06CXC504 M2408NC060

SM40CXC864 M1583VC400

SM42CXC864 M1583VC420

SM44CXC864 M1583VC440

SM45CXC864 M1583VC450 

M2273VC300      M2273VC320

M2273VC340      M2273VC360 

SM18CXC968 M2837VC180

SM20CXC968 M2837VC200

SM22CXC968 M2837VC220

SM24CXC968 M2837VC240

SM25CXC968 M2837VC250

SM36CXC954 M2639ZC360

SM38CXC954 M2639ZC380

平板可控硅晶閘管功率模塊KP9 KP8 KP7 KP6 KP5 KP4系列

 KP4 900-36

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 KP4 1700-16

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 KP4 1800-14

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 KP5 400-28